iPhone12 MagSafe磁吸无线充电器IC级分析报告
苹果iPhone12 MagSafe磁吸无线充电器充电头网在10月23日已进行过拆解报告。为了让大家对该款无线充有更加全面的了解，充电头网联合CNAS授权的芯片分析实验室西安半导体功率器件测试应用中心，共同对MagSafe磁吸无线充电器进行芯片级的分析。
西安半导体功率器件测试应用中心是国家CNAS授权的第三方实验室，实验室由四个科室组成，分别为半导体测试实验室，主要进行半导体动态、静态、热参数的测试；半导体失效分析实验室，主要进行各类半导体器件的失效分析；半导体可靠性实验室，主要各类半导体器件提供全面的可靠性测试评估；半导体应用实验室，主要从事器件在系统级应用、测试及分析。
充电头网拆解报告新增IC芯片级分析服务，如有这方面合作需求，欢迎与充电头网取得联系，咨询邮箱info@chongdiantou.com
苹果MagSafe无线充电器的包装盒仍然是典型的苹果风设计，白色基调，形状方正。盒子正面设有苹果logo、MagSafe Charger和产品外观图，十分简约。
iPhone12 MagSafe磁吸无线充电器主电路由两部分组成，分别为USB Type-C线头单元电路及线圈发射单元电路。无论是线头部分还是发射部分，整个充电器做工紧凑，体积极小，铝型材后壳，科技感十足。
线圈发射部分外观
线圈发射部分 X RAY图
从发射部分的XRAY图中可以清晰的看出16块钕铁硼强磁铁拼装成的环形磁铁，同时线圈、电路板及线圈的焊接点均清晰可见。
USB-C部分外观
USB-C部分 X RAY图
从线头XRAY图可清晰看出其电感、线头焊接点，电路板及输出的三颗电容，拆解后经测量其容量为22μF。
USB Type-C线头单元解剖后发现其主要IC有两款，分别是同步BOOST IC 和Type-C接口控制IC。该两款IC封装形式均为FC-BGA（Flip Chip Ball Grid Array），该种倒装技术较我们常用的WireBond封装技术的芯片有较好的EMI特性及电性能，同时可将WireBond封装芯片芯片的面积减小30%-60%，这种封装方式特别适合MagSafe磁吸无线充电器这种对产品尺寸要求极高的产品，因此iPhone12 MagSafe磁吸无线充电器采用的主控IC均为FC-BGA封装的IC。
BOOST采用TI的IC，丝印为2ASH。TI官网未查到相应型号，根据管脚功能及封装形式推测该IC应该为TI为Apple定制的BOOST升压IC，TI该款IC市场版本型号为TPS61178，为内部集成2颗16mΩ的同步BOOST IC。有强制PWM模式和轻载PFM两款可选。
BOOST 升压IC XRAY图
BOOST 升压IC DECAP 图
结合XRAY、DECAP图、电路板上测量、TPS61178规格书等信息可确认出其中见三个竖形铜框架分别为该款IC的Vout、SW、GND等功率管脚，从去除框架的的DECAP图中可看出其中导电的三个管脚周围形成的方框是两颗同步升压MOS管，左右两侧为IC的控制及保护电路。
TPS61178的典型应用如上图所示，MagSafe磁吸无线充电器实际使用时电感采用3.3μH的电感，输出采用了3颗22μF的电容并联，取值也与TPS61178典型取值一致。
USB Type-C控制器采用的赛普拉斯的CYPD2104，赛普拉斯目前已被英飞凌收购。CYPD2014内部集成了32位的ARM Cortex-M0处理器，支持一个Type-C端口，符合PD标准。采用BGA封装，体积极小。
赛普拉斯 CYPD2104 XRAY图
CYPD2104 在线缆上的典型应用图
CYPD2104 DECAP图
在升压线头上面，除过上面两个主控IC外，另外还有两颗IC，丝印分别为1324V和2P，这两颗IC的外观及解剖图分别如下：
丝印1324V的芯片和丝印2P的芯片外观
1324V XRAY 图
1324V DECAP图
1324V DECAP图
1324V从其DECAP的图片来看，其有大面积铜框架左侧部分很大可能是两颗MOS，右侧则是芯片电路部分，MOS管用于输入过压过流保护功能，保护接口和后级元件不被损坏。
2P XRAY图
丝印为2P的IC则采用相对传统的DFN封装形式，从其XRAY图片可以看到明显的打线。
2P DECAP 图
DECAP图片放大
通过DECAP图片看出这颗IC来自安森美，NCP715，低功耗宽输入LDO。XDFN6封装，结合丝印信息判断是一颗3.3V稳压。
线圈发射部分由两部分电路组成，分别是连接认证控制部分和无线充电线圈发射部分，从充电头网之前的解剖图片中可以看出，两部分分别被屏蔽罩盖着。无线充电线圈外侧是NFC线圈。线圈发射部分的控制采用的ST意法半导体的芯片，ST官网在无线充方向应用的发射芯片为STWBC-MC，而本次解剖的型号为STWPSPA1，应该属于ST为Apple定制IC。
该IC直接采用晶圆级封装（WL-CSP Wafer level Chip Scale Package），这种封装的器件成品大小与芯片尺寸相同，与传统封装形式相比，该封装最大程度的降低了封装导致的体积增加，该封装形式的优势与FC-BGA的优势类似；不同的是FC-BGA是关于管脚焊接的工艺角度来说，WL-CSP则是从芯片本身的角度来考虑，本次的线圈主控IC STWPSPA1则同时用到了FC-BGA和WL-CSP两种技术，从而使得芯片封装的体积最小化，Magsafe磁吸式无线充使用该种封装的器件从而使得体积优势最大化。
STWPSPA1 XRAY图
STWPSPA1 DECAP图
通过DECAP图可以看出，STWPSPA1芯片右侧内置两颗MOS管，与芯片外置的两颗组成H桥驱动无线充电线圈。
发射端的认证芯片同样采用ST的芯片，为STM32F446MEY6，用于连接认证以及无线充电器其他保护控制功能。
STM32F446MEY6是ST的带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，其封装也采用的WL-CSP封装，用于减小封装体积。STM32F446MEY6同样的采用了FC-BGA和WL-CSP两种封装技术，不同的是其芯片表面涂上了一层黑色的涂层，用于保护芯片。
STM32F446MEY6 XRAY图
STM32F446MEY6 DECAP图
为STM32F446MEY6供电的是一颗MPS的降压芯片，同步整流，采用DFN-8封装。
MPS降压芯片X RAY图
发射线圈旁边还有两颗MOS管，这两颗MOS管为DFN3*3的封装，丝印为06 OBU。
06 OBU XRAY图
06 OBU DECAP图
06 OBU DECAP图
这两颗MOS则采用了传统的框架打线工艺，从图片中可以清晰的看到其框架、晶圆、打线等结构。
苹果MagSafe磁吸无线充电器电路设计复杂，体积极小，主控IC均采用了FC-BGA倒装技术，发射线圈部分的IC还采用WL-CSP技术，从而使得MagSafe磁吸无线充电器的电路部分的体积降到最小，iPhone12 Magsafe磁吸无线充电器不仅在系统级设计上采用了最新的无线充电技术，在芯片选用上也采用了先进的半导体器件，同时里面用到多款定制规格的IC，整个产品结构紧凑、质感优良、科技感十足。
温馨提示
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